时间：2025/8/17 1:16:10
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CJAC80N03 是一款由CJ（长电科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换领域。该器件采用了先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：≤3.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55℃～+175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220
CJAC80N03 MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅结构，提升了电流承载能力和开关性能，适合高频开关应用。此外，CJAC80N03具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高电压冲击条件下的可靠性。
该MOSFET的封装形式（如TO-263或TO-220）具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。同时，其宽范围的工作温度（-55℃～+175℃）使得CJAC80N03适用于各种恶劣环境，如汽车电子、工业控制和户外设备等。
此外，CJAC80N03的栅极驱动电压兼容性强，支持常见的10V驱动电压，适用于大多数MOSFET驱动IC，简化了设计和应用。其高可靠性和优异的性能使其成为许多中高功率电源系统中的首选器件。
CJAC80N03 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、逆变器、UPS系统以及各类工业和消费类电子产品中的功率控制电路。由于其高效率和良好的热性能，该器件也常用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电动工具等。
Si8822EDB, FDP80N03AL, IRF8730, IPD80N03S2-03
