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CJAC50P03 发布时间 时间:2025/8/17 11:43:26 查看 阅读:5

CJAC50P03是一款由国产厂商生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要应用于功率开关、电源管理以及电机控制等场景。该器件采用先进的沟槽式(Trench)工艺,具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。CJAC50P03属于P沟道MOSFET,适用于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等电路设计。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):约6.5mΩ(典型值,Vgs=-10V)
  封装形式:TO-252(DPAK)或TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

CJAC50P03具有多项优异的电气和热性能,首先其采用了先进的Trench工艺,使得导通电阻显著降低,从而减少导通损耗并提高系统效率。其低Rds(on)特性(约6.5mΩ)使其在高电流应用中仍能保持较低的功耗,提高整体系统稳定性。
  其次,该器件具备高电流承载能力,额定连续漏极电流可达50A,适用于需要高功率密度的设计场景。此外,其最大漏源电压为30V,栅源电压容限为±20V,这使其在各种电源转换和控制电路中表现出良好的可靠性和耐久性。
  在封装方面,CJAC50P03通常采用TO-252或TO-263封装形式,这两种封装均具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于表面贴装(SMT)工艺,有利于提高生产效率和降低PCB空间占用。同时,其宽工作温度范围(-55℃至150℃)确保其在恶劣环境下仍能稳定工作,适合工业级应用需求。
  此外,CJAC50P03在设计上优化了开关特性,具有较低的输入电容和输出电容,有助于减少开关损耗并提高响应速度。这种特性使其特别适用于高频开关电源、同步整流器以及电池管理系统中的负载开关控制。

应用

CJAC50P03广泛应用于多个领域,包括但不限于:电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电机驱动控制电路、工业自动化设备中的功率开关模块、以及电池供电设备中的电源管理单元。其高电流能力和低导通电阻也使其成为服务器电源、通信设备电源以及电动车控制器中的理想选择。此外,由于其优异的热性能和封装设计,CJAC50P03也非常适合用于需要高效散热和紧凑布局的高密度电子系统中。

替代型号

Si4435BDY-T1-GE3, IPD30P03P4-03, FDD8882

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