CJ6101B30M 时间：2025/8/17 1:53:33 阅读：26

CJ6101B30M是一款由CJ（长电科技）生产的电子元器件，主要用于电源管理和功率控制领域。该器件是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的开关应用。其封装形式和性能参数使其成为工业控制、电源转换以及电子设备中常用的功率器件。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V~2.5V
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

CJ6101B30M具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的栅极阈值电压范围适中，能够确保在常见的驱动电路中稳定工作。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力，额定漏极电流为10A，适用于中等功率的开关应用。其漏源电压为30V，能够在较低电压的电源管理系统中可靠运行。
　　在热管理方面，CJ6101B30M具备良好的热稳定性，工作温度范围宽，从-55℃到+150℃，适用于各种环境条件下的工业应用。
　　封装形式采用TO-252（DPAK），这是一种常见的表面贴装封装，具有良好的散热性能，同时便于在PCB上安装和焊接。

应用

CJ6101B30M广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等电路。其高效率和低导通电阻的特点使其非常适合用于开关电源和功率控制模块。
　　在工业控制领域，该器件可用于驱动电机、继电器和其他负载设备。此外，它还可以用于电子设备中的电源管理部分，如笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源转换电路。