CJ3415 R15 是一款由国产厂商生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动等电子电路中。这款MOSFET以其低导通电阻、高效率和良好的热稳定性著称,适用于中高功率应用场景。CJ3415 R15 是一款TO-252(DPAK)封装的晶体管,适合表面贴装。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):15A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):≤ 15mΩ(典型值)
功率耗散(PD):80W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
CJ3415 R15 是一款性能优异的功率MOSFET,其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。由于其低RDS(on),该器件在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备较高的耐用性和抗过载能力,适用于需要频繁开关的电路环境。其TO-252封装形式不仅便于安装,还具备良好的散热性能,确保器件在高功率下稳定运行。
在电气特性方面,CJ3415 R15 具有快速开关响应能力,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。其栅极驱动电压范围宽泛,支持常见的3.3V、5V及12V逻辑电平控制,便于与各类驱动电路配合使用。此外,该器件具备良好的抗静电能力,提高了在复杂电磁环境下的可靠性。
在结构设计上,CJ3415 R15 采用了优化的硅片工艺和封装技术,提升了整体的导热效率和耐压能力,适用于多种工业和消费类电子产品。
CJ3415 R15 广泛应用于多种电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及LED照明驱动电源等。在开关电源中,该MOSFET用于主开关器件,实现高效的能量转换;在DC-DC转换器中,它可用于高侧或低侧开关,以提高转换效率;在负载开关应用中,CJ3415 R15 可作为电源控制开关,实现快速启停控制;在电池管理系统中,该器件可作为充放电控制开关,确保系统的稳定性和安全性;此外,它也适用于各种工业自动化设备和消费电子产品中的功率控制电路。
Si4410BDY-T1-GE3, IRFZ44N, AO4406A