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PM752 发布时间 时间:2025/8/7 7:13:40 查看 阅读:12

PM752是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高频率的开关电路中。它具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,使其成为电源管理、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用中的理想选择。PM752通常采用TO-247或类似的高功率封装形式,以确保良好的散热性能和高电流承载能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):最大500V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID):连续最大25A
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.15Ω
  功率耗散(PD):最大150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

PM752具备多项优良的电气和物理特性。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有较高的击穿电压能力,能够在高电压环境下稳定工作,提高了系统的可靠性和稳定性。
  PM752还具有快速开关能力,使其适用于高频率开关应用,从而减小了外围元件的尺寸并提高了系统的响应速度。器件内部采用了先进的硅芯片技术,优化了热管理和电流分布,提高了器件的耐用性和长期稳定性。
  该MOSFET采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率应用场景。封装材料符合RoHS环保标准,确保了器件在环保方面的合规性。

应用

PM752广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、交流-直流整流器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统等。其高耐压能力和低导通电阻也使其成为太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统中的关键元件。此外,PM752还适用于高功率LED照明驱动电路和电动汽车充电设备等新兴应用领域。

替代型号

IRF840, FQA24N50, STP25NK50Z, TK25A50D

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