类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　导通电阻（RDS(on)）：约3Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

CJ2321 MOSFET具备多项适用于中低功率开关应用的优良电气特性。其导通电阻较低，可在低电压下实现高效的电流导通，减少功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围适中，兼容多种控制电路，例如常见的3.3V和5V逻辑电平。CJ2321具有较高的开关速度，适用于高频开关操作，可满足电源转换器和LED驱动等应用中对快速响应的要求。
　　CJ2321采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在工业和消费类电子产品中使用。其封装尺寸小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备较好的散热性能，确保在持续工作条件下稳定运行。
　　此外，CJ2321在设计上具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在不同工作环境下保持良好的性能。其漏源击穿电压为20V，适合低压直流应用，同时栅极保护设计确保其在常见工作条件下不易损坏。

CJ2321广泛应用于多种电子设备中，主要作为低电压开关元件使用。典型应用包括便携式电子设备的电源管理、电池供电系统的负载开关、LED驱动电路、DC-DC升压/降压转换器以及逻辑控制电路中的开关元件。由于其响应速度快、封装小巧，也适用于需要高频切换的电源转换应用。此外，在消费类电子产品、智能家居设备、小型电源适配器以及传感器控制电路中，CJ2321均表现出良好的适用性。

2N7002, BSS138, 2N3904