类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：400mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.8Ω（Vgs=4.5V时）
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

CJ2302具有多项显著的电气和物理特性，适合多种电子应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗最小，从而提高能效，特别是在DC-DC转换器和电池供电设备中尤为关键。
　　其次，该MOSFET具备快速开关能力，能够在高频条件下稳定工作，支持现代电源管理模块对高效能、小体积的需求。
　　此外，CJ2302的SOT-23封装形式非常紧凑，有助于节省PCB空间，适合用于对尺寸要求严格的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　在可靠性方面，CJ2302具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在较宽的温度范围内正常工作，适应多种复杂环境条件下的应用需求。
　　最后，CJ2302的栅极驱动电压范围较宽（±12V），使其兼容多种控制电路，简化了驱动电路的设计难度，提高了系统的灵活性。

CJ2302主要用于低功率开关和电源管理领域。常见应用包括DC-DC升压/降压转换器、锂电池保护电路、LED驱动电路、负载开关控制、电池管理系统（BMS）、便携式设备电源管理模块等。
　　例如，在锂电池保护电路中，CJ2302常被用作放电保护开关，与专用保护IC配合使用，实现过流、短路和过放保护。
　　在DC-DC转换器中，CJ2302可作为同步整流器或主开关器件，提升系统效率并减少发热。
　　此外，该器件还可用于驱动小型电机、继电器和LED灯组，适用于各种低功耗电子系统的电源控制场景。

2N7002、FDV301N、SI2302DS、AO3400