ZXTN4006ZTA 时间：2025/8/2 7:50:05 阅读：30

ZXTN4006ZTA是一款由Zetex（现为Diodes Incorporated的一部分）制造的N沟道增强型MOSFET晶体管。这款MOSFET具有高性能、低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电源管理和功率控制应用。该器件采用SOT-223封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），便于在现代电子电路中集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：连续：6A
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为22mΩ（典型值为18mΩ）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223
　　晶体管配置：单MOSFET

特性

ZXTN4006ZTA MOSFET以其低导通电阻特性著称，这使其在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该器件具有快速开关能力，适用于需要高频工作的电源转换应用，如DC-DC转换器和负载开关。
　　其SOT-223封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，确保在较高功率下稳定运行。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，并内置了静电放电（ESD）保护功能，提升了器件在严苛环境下的可靠性。
　　由于其高栅极击穿电压（±20V），ZXTN4006ZTA在驱动电路设计中具有较高的容错能力，避免因过高的栅极电压导致损坏。
　　该器件还符合RoHS环保标准，适用于对环境影响有严格要求的应用场景。

应用

ZXTN4006ZTA广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、负载开关和电源管理模块。
　　在消费电子产品中，它常用于高效电源适配器、笔记本电脑电源管理和便携式设备中的电池充放电控制电路。
　　在工业自动化领域，该MOSFET可用于驱动继电器、传感器和小型电机，提供稳定的功率控制。
　　由于其高频开关特性，ZXTN4006ZTA也适用于LED照明驱动电路和功率因数校正（PFC）电路中。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载充电系统、车载娱乐设备和车身控制模块中，该器件也能提供可靠的功率开关性能。