时间：2025/11/12 22:08:57
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CIM10K252NC是一款由Central Semiconductor Corp生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适用于多种电源管理和功率控制场景。CIM10K252NC的封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适合在空间受限的PCB设计中使用。其额定电压为25V，最大连续漏极电流可达1.7A，能够在较高的频率下稳定工作，是便携式电子设备、电池供电系统以及DC-DC转换器中的理想选择。此外，该MOSFET具备良好的栅极耐压能力，可有效防止静电击穿，并支持逻辑电平驱动，使其能够直接由微控制器或其他低电压信号源进行控制。由于其高性能与小尺寸特性，CIM10K252NC被广泛用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块等领域。
型号：CIM10K252NC
类型：N沟道MOSFET
封装/外壳：SOT-23
极性：N-Channel
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：1.7A
脉冲漏极电流（Idm）：5.8A
功耗（Pd）：350mW
导通电阻Rds(on)：55mΩ @ Vgs=4.5V, Id=1.7A
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：290pF @ Vds=10V
开启时间（Ton）：10ns
关闭时间（Toff）：18ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
CIM10K252NC采用了先进的硅基平面工艺制造，具备优异的电气性能和可靠性。其低导通电阻（Rds(on)）仅为55mΩ，在4.5V栅极驱动条件下可显著降低导通损耗，提高整体能效，特别适用于对效率要求较高的电池供电设备。该器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持低电压逻辑电平驱动，能够与3.3V或5V的微处理器和逻辑门电路直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
该MOSFET具有快速的开关响应能力，开启时间约为10ns，关闭时间约18ns，使其在高频开关应用如DC-DC变换器、同步整流和LED驱动电路中表现出色。同时，其输入电容（Ciss）仅为290pF，减少了驱动电路所需的电流，进一步提升了系统的动态响应性能和能量利用率。器件还具备良好的热稳定性，最大结温可达+150℃，可在严苛的环境条件下长期稳定运行。
采用SOT-23封装不仅使CIM10K252NC拥有极小的占板面积，还提供了良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。该封装符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。此外，Central Semiconductor对其产品实施严格的质量控制和可靠性测试，确保每批次器件都具备一致的性能表现和长寿命特性。综合来看，CIM10K252NC是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于多种中低功率应用场景。
CIM10K252NC常用于各类便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等，用于负载开关、电池保护电路或电压调节模块。它也广泛应用于DC-DC升压或降压转换器中作为主开关元件，尤其适合需要高效能转换的小功率开关电源设计。在LED照明领域，该器件可用于恒流驱动电路，实现对白光LED或RGB灯珠的精确控制。
此外，CIM10K252NC还可用于电机驱动、继电器驱动和各类数字逻辑开关电路中，替代传统双极型晶体管以减少功耗并提升响应速度。在工业控制系统中，它可作为信号切换开关或传感器输出缓冲器使用。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合嵌入式系统中由MCU GPIO直接控制的应用场景，如I/O扩展、电源选通或多路复用控制。
在通信设备中，该MOSFET可用于射频前端模块的偏置控制或天线切换电路。其小型化封装也使其成为可穿戴设备和物联网节点的理想选择，满足这些产品对空间和能耗的双重限制。总体而言，CIM10K252NC凭借其优良的性能指标和广泛的兼容性，在消费电子、工业自动化、通信和汽车电子等多个领域都有广泛应用前景。
CJ2302,CJM2302A,FDMQ3415A,SI2302DS,ME2302
