型号：CIH10T22NKNC
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100 V
　　栅源电压(VGS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID)：10 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：40 A
　　导通电阻(RDS(on))：22 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻(RDS(on))：27 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压(VGS(th))：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容(Ciss)：920 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容(Coss)：290 pF @ VDS = 50 V
　　反向传输电容(Crss)：45 pF @ VDS = 50 V
　　栅极电荷(Qg)：18 nC @ VGS = 10 V
　　上升时间(tr)：15 ns
　　下降时间(tf)：12 ns
　　二极管正向电流(IS)：3.3 A
　　反向恢复时间(trr)：22 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

CIH10T22NKNC 具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻 RDS(on)，在 VGS = 10 V 条件下仅为 22 mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性使其非常适合用于大电流、低电压输出的同步降压转换器中作为下管使用。同时，在 VGS = 4.5 V 时 RDS(on) 仍保持在 27 mΩ 的低水平，表明该器件在逻辑电平驱动条件下也能有效工作，增强了与控制器IC的兼容性。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅结构设计，不仅提升了单位面积的载流能力，还有效减小了芯片尺寸，从而实现了小型化封装与高性能之间的平衡。其输入电容 Ciss 为 920 pF，输出电容 Coss 为 290 pF，Crss 为 45 pF，这些电容参数确保了较快的开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。栅极电荷 Qg 仅为 18 nC（@ VGS=10V），意味着驱动电路所需提供的能量较少，进一步降低了驱动损耗，有利于高频操作下的能效提升。
　　器件的反向恢复时间 trr 为 22 ns，说明体二极管具有较快的恢复能力，有助于减少桥式电路中的直通风险和环流损耗，特别是在硬开关拓扑中表现良好。此外，其最大漏源电压为 100 V，可安全应用于大多数中压功率转换场合，如12 V 或 48 V 输入系统。工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，支持严苛环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　封装方面，PowerPAK SO-8 是一种无引脚贴片封装，具有良好的散热性能和较小的寄生电感，有利于高频布局和热管理。该封装还支持自动化贴装工艺，便于大规模生产。整体来看，CIH10T22NKNC 在性能、可靠性与封装集成度之间实现了良好平衡，是一款适用于现代高效电源设计的理想选择。

CIH10T22NKNC 广泛应用于多种高效率电源管理系统中，尤其适用于对空间和能效有严格要求的设计场景。典型应用包括同步整流型 DC-DC 降压转换器，其中该器件常被用作低边开关，利用其低 RDS(on) 特性来降低传导损耗，提高转换效率。在多相供电架构中，多个 CIH10T22NKNC 可并联使用以分担大电流负载，常见于 CPU、GPU 或 FPGA 的 VRM（电压调节模块）供电方案中。
　　该器件也适用于隔离型电源的副边同步整流电路，替代传统肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提升整体电源效率，特别适合用于通信电源、服务器电源和工业电源模块。此外，在电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源管理单元以及便携式储能设备中，CIH10T22NKNC 可作为负载开关或电源路径控制开关，提供快速响应和低静态功耗。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中的开关元件，驱动直流有刷电机或步进电机，凭借其快速开关能力和良好的热稳定性，可在频繁启停和高负载工况下可靠运行。同时，它也可用于LED驱动电源、热插拔控制器和过流保护电路中，作为主控开关器件。由于其符合 RoHS 标准且不含铅，因此适用于消费类电子产品和绿色能源项目。总体而言，CIH10T22NKNC 凭借其高性能参数和紧凑封装，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

SI7850DP-T1-GE3
　　FDS6680A
　　IRLHS6296PBF