时间：2025/11/12 14:40:07
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CIG10F1R0MNC是一款由Vishay Siliconix（威世硅基）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的TrenchFET技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能以及高可靠性，适用于对空间和能效要求较高的设计。CIG10F1R0MNC封装在紧凑的PowerPAK SO-8封装中，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其主要目标市场包括消费电子、工业控制、计算机外围设备以及通信设备等领域。这款MOSFET在开关电源（SMPS）、同步整流、DC-DC转换器和电池管理系统中表现尤为出色，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。由于其高性能参数与小型化设计，CIG10F1R0MNC成为现代电子产品中理想的功率开关元件之一。
该器件的工作温度范围宽，支持-55°C至+150°C的结温操作，确保在恶劣环境下的稳定运行。同时，它具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。输入电容较小，有助于减少驱动损耗，提高高频应用中的响应速度。此外，CIG10F1R0MNC符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，适用于全球范围内的电子制造项目。总体而言，这是一款兼具高性能、高可靠性和高集成度的先进功率MOSFET器件。
型号：CIG10F1R0MNC
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100 V
最大连续漏极电流（ID）：10 A（@TC=25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：40 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω（@VGS=10V, ID=5A）
导通电阻（RDS(on)）：1.3 Ω（@VGS=4.5V, ID=5A）
阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
输入电容（Ciss）：450 pF（@VDS=50V）
输出电容（Coss）：120 pF（@VDS=50V）
反向传输电容（Crss）：25 pF（@VDS=50V）
总栅极电荷（Qg）：15 nC（@VGS=10V）
开启延迟时间（td(on)）：10 ns
关断延迟时间（td(off)）：20 ns
上升时间（tr）：15 ns
下降时间（tf）：10 ns
最大功耗（PD）：1.6 W（@TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
CIG10F1R0MNC采用了Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，这种垂直结构的MOSFET设计显著降低了单位面积的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流承载能力和更低的导通损耗。其典型RDS(on)仅为1.0Ω（在VGS=10V时），即使在较低的栅极驱动电压如4.5V下也能保持1.3Ω的低阻状态，这对于由逻辑电平信号直接驱动的应用非常有利，例如微控制器I/O口控制或低压DC-DC变换器中的同步整流。得益于TrenchFET工艺带来的优异热传导性能，该器件能够在较小的封装内高效散热，提高了系统的长期可靠性。此外，其输入电容（Ciss）仅为450pF，意味着在高频开关应用中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动IC的负担并提升整体能效。
该MOSFET具备出色的动态性能，拥有快速的开关响应时间——开启延迟约10ns，关断延迟约20ns，配合短促的上升和下降时间（分别为15ns和10ns），使其非常适合用于高频PWM控制场合，如开关电源、电机调速和LED恒流驱动等。低栅极电荷（Qg=15nC @10V）进一步减少了开关过程中的能量损耗，提升了转换效率。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发的电压浪涌或感性负载断开时提供一定的自我保护机制，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。所有参数均经过严格测试，并在宽温度范围内保持稳定性，确保从低温启动到高温满载运行的一致性能表现。
CIG10F1R0MNC因其高效率、小体积和高可靠性，被广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，常作为主开关管或同步整流管使用，尤其适用于AC-DC适配器、笔记本电脑电源模块和嵌入式电源系统，能够显著降低导通损耗并提升转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用于高边或低边开关配置，配合PWM控制器实现精确的电压调节，常见于主板供电、FPGA核心电源及便携式设备电源管理单元。此外，在电池供电系统如移动电源、电动工具和无人机中，CIG10F1R0MNC可作为充放电路径上的通断控制开关，提供低损耗的电流通道，延长续航时间。
工业控制领域也是其重要应用场景，例如PLC输出模块、继电器替代电路和固态开关中，利用其无触点、长寿命和快速响应的优势替代传统机械继电器。在电机驱动方面，可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现正反转与调速功能。消费类电子产品如智能家电、显示器背光控制和USB PD充电器也大量采用此类高性能MOSFET。由于其PowerPAK SO-8封装具备优良的散热性能且兼容SMT工艺，特别适合高密度PCB布局和自动化生产需求，是现代电子设备中不可或缺的关键功率元件。
SI4410BDY-T1-GE3,IRLR8726PbF,FDN360P
