电容值：1000 pF (102表示10 × 102 pF)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：250 V (251表示250 V)
　　封装尺寸：1808（4.5 mm × 2.0 mm）
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ
　　损耗因数（DF）：≤0.15%
　　结构类型：多层陶瓷电容器（MLCC）

AC1808B102K251NT 的主要特性之一是其出色的温度稳定性，这得益于其采用的C0G（NP0）陶瓷介质材料。该材料在宽温度范围内保持电容值的恒定，适用于高精度滤波和振荡电路。
　　其次，该电容器具有极低的介电吸收特性，这对于高精度模拟电路和射频（RF）电路尤为重要。此外，其低损耗因数（DF）确保了在高频应用中仍能保持良好的性能，减少了能量损耗和发热问题。
　　该型号还具备优异的长期稳定性，能够在恶劣的环境条件下（如高温、高湿）保持性能不变。封装尺寸为1808，属于中等尺寸，适合大多数标准贴片工艺，同时具备较高的额定电压（250 V），能够承受较高的电压应力，适用于需要高耐压的电源和信号处理电路。
　　AC1808B102K251NT 的制造工艺严格遵循国际质量标准，确保其在各类高可靠性应用场景中稳定运行。

AC1808B102K251NT 主要应用于需要高稳定性和低损耗的电路中。典型应用场景包括：
　　1. 射频（RF）电路：如滤波器、振荡器和匹配网络，用于无线通信设备和射频模块。
　　2. 高精度模拟电路：如运算放大器、滤波器和传感器接口电路，要求电容值随温度和电压变化极小。
　　3. 工业控制系统：用于电源滤波、去耦和信号调理电路，确保系统稳定运行。
　　4. 电源管理电路：如DC-DC转换器和AC-DC适配器中的滤波和储能元件。
　　5. 医疗电子设备：用于高精度测量和信号处理电路，保证设备的可靠性和精度。
　　由于其高耐压特性，AC1808B102K251NT 也常用于高电压电路的去耦和旁路应用，例如在电源开关电路和高压传感器中。

AVX - 02013C102K25QCT; Kemet - C0805C102K25C; TDK - C1808C102K25C; Yageo - CC0805KRX7RW102