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CIB21P300NE 发布时间 时间:2025/11/12 13:56:13 查看 阅读:8

CIB21P300NE是一款由CISSOID公司设计的高温、高可靠性智能功率模块(IPM),专为极端环境下的电力电子应用而开发。该器件集成了一个P沟道MOSFET和相关的驱动与保护电路,能够在高达210°C的结温下稳定工作,适用于航空航天、深井钻探、电动汽车以及混合动力系统等对温度和可靠性要求极为严苛的应用场景。CIB21P300NE采用先进的封装技术,具备出色的热管理和抗瞬态电压能力,确保在恶劣工况下的长期可靠运行。其设计目标是替代传统硅基功率器件在高温环境中需要额外冷却系统的局限,实现更紧凑、更高效率的电力转换系统。
  该模块的核心是基于CISSOID专有的高温半导体工艺制造的P-MOSFET,具有低导通电阻和良好的开关特性,即使在极端温度条件下也能保持稳定的电气性能。集成的驱动器经过优化,能够提供快速且可靠的栅极控制,并内置多种保护功能,如过流保护、短路保护和过温关断机制,从而显著提升系统的安全性和鲁棒性。此外,CIB21P300NE支持直流母线电压高达300V,适合中等功率等级的DC-DC变换器或电机驱动应用。
  CIB21P300NE还特别注重电磁兼容性(EMC)设计,通过优化内部布局和引脚配置,减少寄生电感和噪声干扰,提高系统整体的稳定性。其陶瓷封装不仅提供了优异的热传导性能,还具备良好的机械强度和耐腐蚀性,适应长时间暴露于高温、高湿或化学腐蚀环境的需求。作为一款面向未来高温电子系统的解决方案,CIB21P300NE代表了当前高温功率电子领域的前沿技术水平。

参数

型号:CIB21P300NE
  制造商:CISSOID
  器件类型:智能功率模块(IPM)
  晶体管类型:P沟道MOSFET
  最大额定结温:210°C
  漏源击穿电压(BVDSS):300 V
  连续漏极电流(ID @ 25°C):典型值根据封装热阻确定
  脉冲漏极电流(IDM):支持短时过载能力
  导通电阻(RDS(on)):典型值在高温下仍保持较低水平,具体数值需参考数据手册
  输入逻辑电平兼容性:TTL/CMOS 兼容
  工作环境温度范围:-55°C 至 +175°C(取决于散热条件)
  存储温度范围:-55°C 至 +210°C
  隔离电压(封装):≥ 2000 VAC(典型)
  封装形式:陶瓷DIP或类似高可靠性封装
  安装方式:通孔安装或定制化基板连接

特性

CIB21P300NE的最大特性之一是其卓越的高温运行能力,能够在高达210°C的结温下持续工作而不发生性能退化或失效,这得益于CISSOID独有的高温硅工艺和材料选择。传统的硅基功率器件通常在超过150°C后性能急剧下降,必须依赖复杂的冷却系统来维持运行,而CIB21P300NE则从根本上解决了这一问题,允许系统在无强制冷却或自然对流散热条件下运行,极大简化了系统设计并提高了可靠性。其内部P沟道MOSFET结构虽然在导通损耗上略高于N沟道器件,但在高端开关应用中无需电荷泵即可实现简单驱动,特别适合用于高温环境中的高边开关拓扑。
  该模块集成了完整的栅极驱动电路,能够直接接收来自微控制器或数字信号处理器的标准逻辑电平输入,并将其转换为适合高温MOSFET的驱动信号。驱动器具备自举电源管理功能和负压关断机制,有效防止误导通,尤其是在高dV/dt瞬变环境下仍能保持稳定操作。同时,内置的实时故障检测电路可监测输出电流和芯片温度,一旦检测到异常状况(如短路或过热),会立即触发软关断程序以限制电流上升率,避免器件损坏,并向主控系统发送故障指示信号以便进行后续处理。
  另一个关键特性是其出色的抗辐射和长期稳定性表现。由于采用了全陶瓷密封封装和金线键合工艺,CIB21P300NE能够抵御宇宙射线、中子辐照及高温老化带来的影响,非常适合用于航天器电源系统或核工业设备中。此外,器件在整个寿命期内的参数漂移极小,保证了系统长期运行的一致性和可预测性。其低漏电流特性在高温下依然优秀,静态功耗远低于同类产品,有助于提升整体能效。综合来看,CIB21P300NE是一款专为极限环境打造的高性能智能功率模块,代表了高温电子技术的发展方向。

应用

CIB21P300NE广泛应用于那些常规电子器件无法胜任的极端温度和高可靠性需求场景。其中一个主要应用领域是航空电子系统,特别是在飞机引擎附近的传感器供电单元、燃油控制系统或作动器驱动模块中,这些位置的工作温度常常超过150°C,传统功率器件难以长期稳定运行,而CIB21P300NE可以在无需额外冷却的情况下直接部署,大幅减小系统体积和重量,提升飞行器的整体可靠性。
  在石油和天然气行业中,深井测井工具和地热勘探设备经常面临200°C以上的地下环境,传统的电子组件在此类条件下极易失效。CIB21P300NE被用于构建高温DC-DC转换器、电源管理单元或电机驱动电路,为井下仪器提供稳定电力支持,显著延长作业时间和降低维护成本。同样,在电动汽车和混合动力汽车的电动压缩机、EGR阀控制或电池管理系统中,靠近发动机或排气系统的电子模块也面临高温挑战,使用该器件可以实现更高的集成度和更强的环境适应能力。
  此外,CIB21P300NE也适用于新一代高温燃料电池系统、核电站监控设备以及太空探测器的电源子系统。在这些应用中,除了高温外,还可能伴随强电磁干扰、振动和辐射环境,其坚固的封装和内置保护机制使其成为理想选择。科研机构也将其用于高温实验平台和极端环境模拟装置中的功率控制节点。总之,任何需要在高温、高可靠性、长寿命条件下运行的电力电子系统都可以考虑采用CIB21P300NE作为核心功率开关元件。

替代型号

CIB21N300NE
  CIB21G300NE
  MDD300V系列高温MOSFET模块

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CIB21P300NE参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列CIB21
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 滤波器类型-
  • 线路数1
  • 不同频率时阻抗30 Ohms @ 100 MHz
  • 额定电流(最大)2A
  • DC 电阻?(DCR)(最大值)50 毫欧
  • 等级-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 安装类型表面贴装型
  • 高度(最大值)0.043"(1.10mm)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 特性-