尺寸代码（公制/英制）：1608 / 0603
　　电容值：1.2nF (1200pF)
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V DC（典型值，具体以数据手册为准）
　　温度特性：C0G/NP0（推测）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（C0G或X7R类）
　　直流电阻（DCR）：极低，典型值小于10mΩ
　　自谐振频率（SRF）：约数百MHz（取决于PCB布局）
　　等效串联电阻（ESR）：极低，适合高频去耦应用
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100GΩ·μF（取较大值）
　　寿命稳定性：电容变化率≤±0.5% 在额定条件下工作1000小时后

CI160808-1N2D作为一款小型化、高精度的多层陶瓷电容器，具备出色的电气稳定性和频率响应特性，特别适用于高频模拟和射频电路设计。其核心优势在于采用了C0G（即NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料具有几乎恒定的介电常数，随温度、电压和时间的变化极小，确保了电容值的高度稳定性。在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他介质类型，因此非常适合用于振荡器、滤波器、匹配网络和定时电路中，能够显著提升系统精度和长期可靠性。此外，由于其容差仅为±0.5pF，属于高精度等级，可用于需要精密调谐的场合，例如无线通信模块中的LC谐振回路或射频前端的阻抗匹配网络。
　　该器件的结构采用多层叠层工艺，内部由数十甚至上百层交替排列的金属电极和陶瓷介质构成，从而在微小体积内实现所需的电容值，同时保持较低的等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使其在GHz以下频段仍能保持良好的去耦和旁路性能。1608（0603）封装尺寸兼顾了手工焊接可行性和自动化贴片的兼容性，在现代高密度PCB布局中具有很高的实用性。此外，该电容具有良好的耐湿性和抗热冲击能力，经过严格的回流焊测试验证，可在无铅焊接工艺下稳定工作，符合当前主流电子制造的环保要求。村田作为全球领先的被动元件制造商，其生产过程采用先进的陶瓷粉体技术和精密印刷工艺，保证了产品的一致性和良品率，使得CI160808-1N2D在批量应用中表现出色。

CI160808-1N2D因其高精度、低温漂和优良的高频特性，广泛应用于对信号完整性要求较高的电子系统中。在射频通信领域，它常被用作LC滤波器中的固定电容元件、天线匹配网络中的调谐电容以及低噪声放大器（LNA）输入输出端的耦合电容，帮助实现最佳阻抗匹配和最大功率传输。在高速数字电路中，尽管其容量较小，但在特定情况下可作为GHz级信号路径上的交流耦合电容，减少直流偏置影响的同时保持信号完整性。此外，该器件也适用于精密模拟电路，如电压控制振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和参考时钟生成电路中，用于稳定频率响应和抑制相位噪声。在医疗电子设备、测试测量仪器和航空航天电子系统中，由于这些领域对元件长期稳定性和环境适应性有极高要求，CI160808-1N2D凭借其C0G材质的可靠表现成为首选方案之一。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，虽然更倾向于使用大容量X7R电容进行电源去耦，但在射频前端模组或Wi-Fi/BT/GNSS共存设计中，此类高精度小容值电容仍然不可或缺。此外，工业控制系统和汽车电子（尤其是信息娱乐系统和ADAS传感器模块）也会采用该型号，以满足EMI滤波和信号调理的需求。随着5G和物联网技术的发展，高频、高稳定性的MLCC需求持续增长，CI160808-1N2D这类产品将在未来的高频混合信号系统中发挥更加关键的作用。

GRM1885C1H122GA01D
　　CC0603JRNPO9BN122
　　CL2012NG1H122GB