类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6A（在 Vgs=4.5V 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值，典型值为 15mΩ）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SON（表面贴装）

CGR0118ZTR7 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，该器件在保持高性能的同时实现了紧凑的封装设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 2.5V 到 4.5V 的工作电压，使其适用于多种控制器和驱动电路。此外，CGR0118ZTR7 具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　其 SON 封装形式不仅减小了 PCB 占用面积，还提高了热传导效率，使得器件在高电流应用中仍能保持较低的工作温度。这种特性对于高密度电源设计尤为重要。
　　另一个显著优势是其快速的开关速度，这有助于减少开关损耗，提升整体系统的能效。因此，该器件非常适合用于高频开关应用，如同步整流、负载开关和 PWM 控制等。

CGR0118ZTR7 主要应用于需要高效能功率管理的电子设备中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于提高转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，它可用于控制充放电路径，确保电池安全运行。
　　此外，CGR0118ZTR7 还常用于负载开关电路中，以实现对不同负载的高效控制，适用于便携式电子产品、工业自动化设备以及服务器电源系统。
　　在电机控制和电源管理模块中，该器件也可作为主开关元件，用于实现对电流的精确控制和快速响应。同时，其优异的热性能使其在高温环境下依然保持稳定运行。

Si2302DS, BSS138, FDN304P, CGR0115ZTR7