时间：2025/8/9 7:42:22
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TP869C10R是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件具有高性能、低导通电阻和高可靠性，适用于多种电子设备中的电源转换和控制电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏源电压：600V
导通电阻：0.55Ω（最大）
功率耗散：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
TP869C10R具备低导通电阻特性，使其在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体能效。该MOSFET还具有较高的热稳定性和耐久性，适用于高要求的工业和消费类电子产品。
此外，TP869C10R采用TO-220封装，散热性能良好，便于安装在散热片上以提高散热效率。该器件的设计支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提升系统响应速度。
该MOSFET还具备过热保护和过流保护能力，增强了电路的安全性和稳定性，延长了使用寿命。
TP869C10R广泛应用于各类电源管理电路，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池充电器。它还适用于照明设备、家用电器和工业控制系统的功率开关电路中。
由于其高耐压和大电流处理能力，TP869C10R在需要高可靠性和高效率的电源转换应用中表现出色，尤其是在需要频繁开关操作的场合。
TP869C10, IRFZ44N, FDPF6N60
