类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4.7A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（最大值，@ Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT8（热增强型表面贴装）

CGR0118ZSQ MOSFET 具备多项关键特性，使其在多种电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 4.7A 漏极电流下仅具有 18mΩ 的 Rds(on)，这意味着在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，CGR0118ZSQ 采用热增强型 TSMT8 封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度环境中稳定运行。此外，该封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程，提高制造效率和可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12V，适用于常见的 4.5V 至 5V 栅极驱动电路，兼容多种控制器和驱动 IC。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频操作下的效率。
　　此外，CGR0118ZSQ 还具备良好的热稳定性和过载保护能力，在高温环境下仍能维持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合工业级和汽车级应用环境。
　　总体而言，CGR0118ZSQ 凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和广泛的温度适应性，是一款适用于多种电源管理应用的高性能功率 MOSFET。

CGR0118ZSQ 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件用于升压或降压拓扑结构，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，用于充放电控制和负载开关；在马达驱动电路中，用于 PWM 控制以调节马达转速和扭矩。
　　此外，该 MOSFET 还适用于电源适配器、便携式设备电源管理、LED 照明调光电路以及工业自动化控制系统。由于其小型封装和高热效率，CGR0118ZSQ 也适用于空间受限但要求高性能的嵌入式系统和消费电子产品。

CSD16323Q5, SiSS14CN, AO4406, IPD9N03C, FDS6675