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DMS2085LSD-13 发布时间 时间:2025/8/2 6:03:11 查看 阅读:14

DMS2085LSD-13 是一款由 Diodes 公司生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的晶体管,适用于高频率和中等功率的应用。该器件采用 SOT-23 封装,具有优良的高频性能和可靠性,适合用于射频(RF)放大器、开关电路、音频放大器以及其他需要高性能晶体管的场合。该晶体管具有良好的热稳定性和电流放大能力,适合在各种工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

DMS2085LSD-13 的主要特性之一是其高频率响应能力,过渡频率(fT)高达 100MHz,这使其非常适合用于射频和中频放大器应用。该晶体管的电流增益范围较宽,从 110 到 800,可以根据不同的应用需求选择合适的偏置条件以获得最佳性能。
  此外,DMS2085LSD-13 具有良好的热稳定性和可靠性,能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境下的应用。SOT-23 小型封装设计不仅节省空间,还便于自动化装配和高密度 PCB 布局。
  该晶体管的最大集电极-发射极电压为 80V,最大集电极电流为 100mA,适合用于中等功率的开关和放大电路。其最大功耗为 300mW,能够在较高的工作温度下保持良好的性能。
  由于其高频特性,DMS2085LSD-13 常用于射频信号放大、振荡器、混频器等射频电路中。此外,它也可以用于音频放大器、传感器接口、DC-DC 转换器、逻辑电平转换等模拟和数字电路中。

应用

DMS2085LSD-13 由于其优异的高频性能,广泛应用于射频通信系统中的信号放大和调制解调电路。例如,在无线通信设备中,该晶体管可以作为射频前端放大器,用于增强微弱的接收到的信号。此外,它也可以用作中频放大器,提高信号的增益和稳定性。
  在音频应用中,DMS2085LSD-13 可用于前置放大器或功率放大器阶段,提供高质量的音频信号放大。其良好的线性度和低失真特性使其在音频电路中表现出色。
  在数字电路中,该晶体管可以用作开关元件,控制 LED、继电器、小型电机等负载。由于其快速的开关特性和较高的可靠性,DMS2085LSD-13 也常用于电源管理和 DC-DC 转换器中的控制电路。
  此外,该晶体管还可用于传感器接口电路中,作为信号调理和放大器,将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的水平。

替代型号

2N3904, BC547, PN2222A

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DMS2085LSD-13参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥2.94000剪切带(CT)2,500 : ¥0.83328卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)85 毫欧 @ 3.05A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)353 pF @ 15 V
  • FET 功能肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值)1.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SO
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)