CGHV50200F 时间：2025/9/11 7:21:00 阅读：8

CGHV50200F是一款高功率射频场效应晶体管（FET），主要用于射频和微波放大器应用。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，提供卓越的高频性能和高功率输出能力。CGHV50200F适用于通信基础设施、测试设备和工业应用中的高功率射频放大场景。

参数

类型：射频功率FET
　　晶体管技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　工作频率：最高可达5 GHz
　　最大漏极电流（ID）：20 A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：50 V
　　输出功率（RF）：200 W
　　增益：约12 dB（典型值）
　　效率：约65%（典型值）
　　封装类型：法兰封装
　　热阻（Rth）：约0.35°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

CGHV50200F采用先进的HEMT工艺制造，具备卓越的射频性能和高可靠性。该器件能够在高频下提供高功率输出，同时保持良好的线性度和稳定性。其高效率特性使其适用于高功率射频放大系统，降低散热需求，提高系统整体能效。
　　该晶体管的高输入阻抗和低输出阻抗使其易于匹配到50Ω系统，适用于多种射频应用。其法兰封装设计有助于高效散热，确保在高功率下的长期稳定运行。此外，CGHV50200F具有良好的抗失真能力，适用于需要高信号完整性的通信系统。
　　该器件的栅极结构优化设计降低了寄生电容，提高了高频响应能力。其漏极和源极之间的低导通电阻减少了功率损耗，提高了整体放大器效率。CGHV50200F在宽频率范围内保持稳定的性能，适合多频段和宽带应用。