时间：2025/9/11 6:57:13
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CGHV40320D是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件在400 MHz至3 GHz的频率范围内工作，适用于无线基础设施、广播、测试设备和其他射频功率放大器应用。CGHV40320D采用先进的LDMOS技术，具有高效率、高线性度和优异的热稳定性，能够在苛刻的环境中提供可靠的性能。
制造商：Wolfspeed（原Cree）
类型：LDMOS射频功率晶体管
频率范围：400 MHz至3 GHz
最大漏极电压：125 V
最大漏极电流：1.2 A
输出功率：典型值为320 W（连续波）
增益：约24 dB
效率：典型值为65%
封装类型：气密封陶瓷封装
工作温度范围：-65°C至+150°C
CGHV40320D具有多项先进的性能特性。首先，其高输出功率能力使其适用于需要高功率放大的应用，如蜂窝基站和广播发射机。该器件的高增益特性减少了前级放大器的复杂性，从而简化了系统设计。此外，CGHV40320D具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。其宽频率范围使其适用于多种通信标准，包括GSM、CDMA、LTE等。同时，该器件具有良好的线性度，有助于减少信号失真，提高信号质量。CGHV40320D采用气密封陶瓷封装，提供了良好的机械稳定性和环境适应性，适合在严苛环境中使用。
CGHV40320D广泛应用于无线通信基础设施，如4G和5G基站、广播发射机、测试和测量设备、工业加热系统以及其他需要高功率射频放大的领域。其高性能特性使其成为需要高效率和高可靠性的射频功率放大器设计的理想选择。
CGHV40310D, CGHV40350D
