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CGHV40030F/P 发布时间 时间:2025/9/11 5:22:18 查看 阅读:11

CGHV40030F/P 是由 Wolfspeed(前身为 Cree)生产的一款高功率射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,主要用于射频功率放大器应用。该器件基于硅基LDMOS技术,具有优异的线性度和效率,适用于通信基础设施、广播、工业和医疗射频设备。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  封装类型:Flanged Package
  工作频率:最高可达1 GHz
  漏极电流(ID):最大150 mA
  漏源电压(VDS):最大50 V
  栅源电压(VGS):最大±10 V
  输出功率:30 W(典型值)
  增益:20 dB(典型值)
  效率:65%以上
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

CGHV40030F/P具备高增益和高效率的特点,适用于宽带射频功率放大器设计。其LDMOS工艺确保了良好的热稳定性和可靠性,同时支持高线性度操作,适用于需要高保真信号放大的系统。
  该晶体管采用金属封装,具有良好的散热性能,适合高功率连续波(CW)或脉冲操作。此外,该器件的输入和输出阻抗匹配良好,有助于减少外围匹配电路的复杂性。
  在热管理方面,CGHV40030F/P具有低热阻特性,使其能够在高环境温度下稳定工作。其高耐用性和坚固的封装结构使其适用于严苛工业环境。
  电气特性方面,该晶体管在频率范围内保持稳定的增益和输出功率,适用于多种射频应用,包括AM、FM和数字广播发射机、工业加热设备和医疗射频治疗设备。

应用

CGHV40030F/P广泛应用于射频功率放大器的设计,包括广播发射机(如FM、AM广播)、无线通信基础设施(如蜂窝基站和中继器)、工业加热系统、医疗射频设备以及实验室测试仪器。其高频性能和高可靠性使其成为多种射频放大应用的理想选择。

替代型号

RD16HHF1, MRF6VP2030, CGHV40015F

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