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IXFR25N90 时间：2024/9/24 11:38:13 阅读：499

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　漏极至源极电压(Vdss)：900V
　　电流-连续漏极(Id) 25°C：25A

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：ISOPLUS247?
　　包装：管件

IXFR25N90推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

IXFR25N90
深圳市优尚半导体科技有限公司
1828
DIODES
2023+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市腾桩电子有限公司
9000
IXYS
23+/ISOPLUS247

IXFR25N90
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
IXYS
23+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市创芯联盈电子有限公司
9000
IXYS
22+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
IXYS
24+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
IXYS
2023+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市昴泽电子有限公司
8400
IXYS
22+/TO247

IXFR25N90
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
IXYS
2020+/MOSFET NCH 900V 25A ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
IXYS
22+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市源鸿泰电子有限公司
36461
IXYS
21+/ISOPLUS247

IXFR25N90
深圳市恒芯巨能电子有限公司
23000
IXYS
23+/-

IXFR25N90
深圳市莱克讯科技有限公司
6896
IXYS
21+/TO247

IXFR25N90
上海紫卓电子科技有限公司
666
IXYS
20+/-

IXFR25N90
深圳市科祥威电子科技有限公司
15000
IXYS
21+/ISOPLUS247

IC词条百科

IXFR25N90参数

标准包装30
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C-
Id 时的 Vgs(th)（最大）-
闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大-
安装类型通孔
封装/外壳ISOPLUS247?
供应商设备封装ISOPLUS247?
包装管件

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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