CGHV35400F 时间：2025/9/11 8:10:56 阅读：32

CGHV35400F是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，适用于高功率射频放大器应用。该晶体管专为在2 GHz以下的频率范围内工作而设计，广泛应用于广播、无线基础设施和工业设备中。CGHV35400F采用先进的LDMOS技术，提供高效率、高线性和高可靠性，适合需要高功率输出的系统。该器件具有良好的热稳定性和优异的抗失真能力，能够满足现代通信系统对高性能放大器的需求。

参数

型号：CGHV35400F
　　类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：DC至4 GHz
　　输出功率：400 W（典型值）
　　增益：>23 dB（典型值）
　　漏极效率：>65%（典型值）
　　工作电压：VDD = 28 V
　　输入阻抗：50 Ω
　　封装类型：Flange Mount
　　封装尺寸：1.375" x 0.563"
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

CGHV35400F具有多项出色的性能特性，使其在高功率射频应用中表现出色。
　　首先，它具备高输出功率能力，能够在UHF和L波段提供高达400 W的连续波（CW）功率输出，满足高功率放大器的设计需求。这种高功率能力使得它在广播、雷达和无线通信系统中表现出色。
　　其次，CGHV35400F具有高增益和高效率特性，典型增益超过23 dB，漏极效率可达65%以上。高效率不仅有助于降低功耗，还能减少散热需求，提高系统的整体能效。
　　此外，该晶体管具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，其最大工作温度可达到150°C。这使其在高负荷、高环境温度的应用中具有更高的可靠性和更长的使用寿命。
　　CGHV35400F采用坚固的金属封装设计，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度应用。其50 Ω输入阻抗设计也便于与射频电路进行匹配，减少外围元件的需求，简化电路设计。
　　最后，该晶体管具有良好的抗失真能力和线性度，适用于需要高信号完整性的应用，如多载波通信系统和高保真广播设备。

应用

CGHV35400F主要用于高功率射频放大器的设计，广泛应用于多种通信和工业领域。
　　在广播行业，CGHV35400F常用于UHF电视发射机和FM广播发射机中的高功率放大器模块。其高输出功率和高效率特性使其成为广播系统中关键的放大元件，能够满足高覆盖率和稳定信号传输的需求。
　　在无线通信基础设施方面，该晶体管适用于蜂窝基站、微波链路和点对点通信设备中的功率放大器设计。其高线性和低失真特性有助于提升通信质量，满足4G及部分5G系统对高数据速率和低误码率的要求。
　　此外，CGHV35400F也广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体发生器和测试设备等。其高功率处理能力和良好的热管理性能，使其在这些高功率密度应用中表现优异。
　　在军事和航空航天领域，该晶体管可用于雷达系统、电子战设备和卫星通信终端中的高功率放大模块。其高可靠性和宽工作温度范围，使其在极端环境条件下仍能保持稳定运行。