CGH60120D 时间：2025/9/11 8:05:00 阅读：34

CGH60120D是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），设计用于射频（RF）功率放大器应用。这款晶体管采用先进的GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）技术，提供高功率密度、高效率和出色的热性能。CGH60120D适用于从直流到6GHz的广泛频率范围，广泛用于无线通信基础设施、雷达系统、测试设备和工业加热等领域。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN-on-SiC HEMT
　　最大漏极电流（ID(max)）：120A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：65V
　　最大工作频率：6GHz
　　输出功率（典型值）：1200W
　　增益（典型值）：14dB
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　热阻（RθJC）：0.15°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+225°C

特性

CGH60120D具备优异的功率处理能力和高效率，能够在高频率下稳定工作。其基于GaN-on-SiC的结构提供了良好的热导性能，从而提高了器件的可靠性和寿命。该晶体管具有高击穿电压、低热阻和出色的线性度，适合用于高线性度要求的应用，如基站放大器和宽带通信系统。此外，CGH60120D具有宽频带响应，支持从低频到6GHz的多种射频应用。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率条件下仍能保持较低的工作温度。其优异的热管理能力使其适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。此外，CGH60120D具备高抗失真能力，适用于多载波和宽带信号放大。其封装还具备良好的机械强度和抗环境应力能力，适合在苛刻工业环境中使用。