类型：射频功率晶体管
　　技术：碳化硅（SiC）MESFET
　　漏极电流（Id）：30A
　　漏源电压（Vds）：50V
　　工作频率：DC至3.5GHz
　　输出功率：典型300W（在2.4GHz）
　　增益：典型12dB（在2.4GHz）
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　封装尺寸：F2/P2
　　输入阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

CGH55030F2/P2 具备多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。首先，该器件采用碳化硅材料，具有高热导率和高击穿电场强度，能够在高温和高电压条件下稳定运行，提供出色的可靠性和长寿命。
　　其次，CGH55030F2/P2 在2.4GHz频率下可提供高达300W的输出功率，增益约为12dB，适用于各种宽带和窄带放大器设计。其宽带匹配设计允许在较宽的频率范围内（DC至3.5GHz）保持良好的性能，减少了外部匹配电路的复杂度。　　最后，该器件设计有良好的线性度和稳定性，支持多种调制格式，适用于现代通信系统中对线性度要求较高的应用，如Wi-Fi、蜂窝通信和无线基础设施等。

CGH55030F2/P2 广泛应用于需要高功率、高效率和高稳定性的射频系统中。典型应用包括无线基站放大器、雷达和电子战系统、射频测试设备、工业加热和等离子体发生器、广播和通信设备等。其宽带性能使其适用于多种频率范围内的功率放大器设计，特别是在2.4GHz ISM频段和蜂窝通信频段中表现出色。
　　在通信基础设施中，该器件可用于构建高效能的基站功率放大器，提升信号传输质量和覆盖范围；在雷达系统中，CGH55030F2/P2 能够提供稳定的高功率输出，支持脉冲和连续波操作模式；在测试仪器中，该晶体管可作为高功率射频信号源，满足多种测试需求。
　　由于其碳化硅材料的高热导率和高击穿电压特性，该器件也适用于高温和高湿度等恶劣环境下的工业应用，如等离子体切割、射频加热和感应加热系统。

CGH55060F2/P2, CGH55015F2/P2, CGH55100F2/P2