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CGH40010P 发布时间 时间:2025/12/28 16:21:45 查看 阅读:7

CGH40010P 是一款由 Wolfspeed(原 Cree)推出的高功率 GaN(氮化镓)射频功率晶体管,专为高频和高效率射频功率放大应用而设计。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 技术制造,具有优异的热性能和高功率密度。CGH40010P 通常用于商业和工业射频应用,如广播、医疗设备、测试设备和工业加热设备。其工作频率范围宽广,适合 10W 至数百瓦输出功率的应用场景。

参数

型号:CGH40010P
  技术:GaN-on-SiC HEMT
  最大漏极电压:65V
  最大连续漏极电流:1.2A
  工作频率范围:DC 至 2500 MHz
  输出功率(典型值 @ 2.14 GHz):10W
  增益(典型值 @ 2.14 GHz):18dB
  效率(典型值 @ 2.14 GHz):65%
  封装类型:3mm 陶瓷螺栓封装
  输入/输出阻抗:50Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

CGH40010P 的核心优势在于其基于 GaN-on-SiC 的材料特性,这使其在高温下仍能保持出色的性能。该器件具有较高的功率密度,能够在相对较小的封装中提供稳定的高功率输出。其宽频带设计使其适用于从低频到 2.5 GHz 的广泛频率范围,满足多种射频应用需求。此外,CGH40010P 的高效率特性有助于减少系统散热需求,提高整体能效。该晶体管还具备良好的线性度和热稳定性,适用于高可靠性要求的工业和通信系统。由于采用了 GaN 技术,CGH40010P 在高电压下也能保持稳定运行,减少了对复杂电源管理电路的需求。
  这款晶体管的封装设计考虑到了散热性能,采用的陶瓷螺栓封装(flanged package)可有效降低热阻,提高热传导效率。这种封装形式还增强了机械稳定性,适用于高振动或机械应力的环境。CGH40010P 的另一个重要特性是其良好的失配容忍度(impedance mismatch tolerance),使其在负载变化较大的应用中依然保持稳定工作,减少了因匹配网络不完善而导致的性能下降。同时,该器件具有较低的寄生电容和电感,有助于提升高频性能,使得设计更加简便,降低了外部匹配电路的复杂度。

应用

CGH40010P 主要应用于需要高功率和高效率的射频系统,包括射频测试设备、宽带射频放大器、医疗射频治疗设备、工业加热系统以及广播发射机等。在测试设备中,它能提供稳定且高精度的射频信号输出,适用于无线通信设备的研发与验证。在工业加热应用中,其高频性能和高效率有助于提高加热效率并减少能量损耗。此外,该器件也适用于短波和超短波通信系统,如 VHF/UHF 无线电通信设备。CGH40010P 的宽频率覆盖能力使其适用于多频段操作的系统,例如宽带放大器和多标准发射机。在广播设备中,它可以用于调频广播发射机的末级放大器,提供高输出功率和优良的线性度,从而提高广播质量。

替代型号

CGH40025P, CGH21010P, CGH27015P

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CGH40010P参数

  • 标准包装144
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型HEMT
  • 频率0Hz ~ 6GHz
  • 增益14.5dB
  • 电压 - 测试28V
  • 额定电流-
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试200mA
  • 功率 - 输出12.5W
  • 电压 - 额定28V
  • 封装/外壳440196
  • 供应商设备封装440196
  • 包装管件