时间：2025/5/26 17:09:18
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C4D15120D 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少能量损耗。
这款芯片采用先进的制造工艺，能够在高频率应用中提供稳定的性能表现。其出色的热稳定性和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的首选。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：12A
导通电阻：20mΩ
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
C4D15120D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 出色的热性能，确保在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 内置反向二极管，支持续流功能，简化设计。
5. 强大的雪崩能量承受能力，提高了系统的可靠性和鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
C4D15120D 可用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制。
3. 照明系统，例如 LED 驱动器。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 消费类电子产品中的保护电路和功率调节模块。
C4D15120G, IRF15120, FDP15120
