CGH31240 时间：2025/9/11 7:53:06 阅读：18

CGH31240是一款由Cree（现为Wolfspeed）制造的高功率氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频功率晶体管，专为在高频段工作的高功率放大器设计。该晶体管采用了先进的GaN技术，具有高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于通信、雷达、工业和军事等领域的射频功率放大应用。

参数

工作频率：2400 MHz - 2500 MHz（典型用于2.4 GHz ISM频段）
　　输出功率：120 W（典型值）
　　增益：>20 dB
　　效率：>65%
　　漏极电压：+28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2:1（最大）
　　封装类型：螺栓安装式封装（Flanged Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

CGH31240具有高功率密度和出色的热管理性能，这使其能够在高功率水平下稳定运行。其基于GaN的HEMT结构提供了更高的电子迁移率和更高的工作频率能力，相较于传统的LDMOS晶体管，具有更高的效率和更宽的带宽。此外，该器件具备良好的线性度，适用于需要高信号保真的应用，例如Wi-Fi 6（802.11ax）接入点、5G通信基础设施和智能天线系统。CGH31240的螺栓安装封装设计有助于优化散热性能，确保长时间工作的可靠性和稳定性。
　　这款晶体管还具备良好的抗失真能力，适用于多载波和宽带信号放大，能够在复杂调制环境下保持较低的误差矢量幅度（EVM）。其高输入阻抗简化了匹配网络设计，降低了外围电路的复杂性。同时，CGH31240具有较高的击穿电压，提高了器件在高压和高功率环境下的耐用性。

应用

CGH31240主要应用于无线通信系统中的高功率射频放大器，例如Wi-Fi 6接入点、5G基站、WiMAX系统和LTE基础设施。此外，它也适用于雷达、测试设备、工业加热和广播系统等需要高线性度和高效率的射频功率放大的场合。在军事和航空航天领域，该晶体管可用于战术通信设备和电子战系统，提供稳定可靠的射频输出。