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BSL316CH6327 发布时间 时间:2025/6/3 9:39:57 查看 阅读:8

BSL316CH6327 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用 DPAK 封装形式,具有出色的电气性能,能够承受高电流和高电压的工作条件。
  其设计使其特别适合用作开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等应用中的功率开关元件。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极阈值电压:2.1V(典型值)
  功耗:18W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BSL316CH6327 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻确保了在大电流条件下也有较低的功率损耗,提高了整体效率。
  2. 高速开关能力使它非常适合高频开关应用,例如 SMPS 和 DC-DC 转换器。
  3. 栅极电荷较小,有助于减少驱动损耗并提高开关速度。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
  5. 热性能优越,能够在高温环境下稳定运行。
  6. 逻辑电平驱动,降低了对栅极驱动电路的要求,简化了设计。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主功率开关。
  2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
  3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  4. 电池管理系统 (BMS) 的保护电路。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。

替代型号

BSZ106P06E, IRFZ44N

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