BSL316CH6327 是一款 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用 DPAK 封装形式,具有出色的电气性能,能够承受高电流和高电压的工作条件。
其设计使其特别适合用作开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等应用中的功率开关元件。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:16A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极阈值电压:2.1V(典型值)
功耗:18W
工作结温范围:-55℃至+150℃
BSL316CH6327 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻确保了在大电流条件下也有较低的功率损耗,提高了整体效率。
2. 高速开关能力使它非常适合高频开关应用,例如 SMPS 和 DC-DC 转换器。
3. 栅极电荷较小,有助于减少驱动损耗并提高开关速度。
4. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
5. 热性能优越,能够在高温环境下稳定运行。
6. 逻辑电平驱动,降低了对栅极驱动电路的要求,简化了设计。
该 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 的保护电路。
5. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
BSZ106P06E, IRFZ44N