时间：2025/5/9 18:36:01
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IMB4AT110 是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高效率以及良好的热性能等特点，适合需要高效能和稳定性的工业及消费类电子应用。
IMB4AT110 属于N沟道增强型MOSFET，其设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+175℃
IMB4AT110 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流支持大功率应用场景。
3. 优化的栅极电荷和开关时间，使器件能够在高频条件下运行，同时保持低开关损耗。
4. TO-220封装提供了出色的散热性能，便于安装和使用。
5. 广泛的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用。
6. 高可靠性和稳定性，满足严苛的工业标准要求。
IMB4AT110 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的电源管理部分
由于其出色的电气特性和封装优势，IMB4AT110 成为众多高功率密度应用的理想选择。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXYS5N70
