时间：2025/9/11 6:29:17
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CGH21120F是一款高性能的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET），由Cree（现为Wolfspeed）公司生产。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，具备高耐压、低导通电阻和高频工作能力，适用于各种高效率、高功率密度的电力电子系统。
类型：碳化硅 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：21A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极电荷（Qg）：135nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
CGH21120F碳化硅MOSFET具有优异的电气性能和可靠性。其高击穿电压特性使其适用于高电压应用，而低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小无源元件的尺寸，提高系统功率密度。
与传统硅基MOSFET相比，碳化硅MOSFET在高温下的性能更稳定，热导率更高，有助于提升系统的热管理能力和长期稳定性。此外，CGH21120F还具有较低的反向恢复损耗，适用于硬开关和软开关拓扑结构，广泛应用于电源转换器、逆变器、电机驱动和新能源系统等领域。
CGH21120F广泛应用于高功率密度和高效率的电力电子设备中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动器和储能系统等。其优异的高频性能和高温稳定性使其成为现代功率变换系统中理想的开关器件。
C3M0065090J, SCT3045AL, SiC MOSFET 1200V 20A
