AP1685MTR-G1 时间：2025/12/26 10:37:54 阅读：15

AP1685MTR-G1是一款由Diodes Incorporated生产的高效率、电流模式PWM（脉宽调制）控制器，广泛应用于离线式开关电源设计中。该芯片专为反激式（Flyback）拓扑结构优化，适用于低功率至中等功率的AC-DC转换应用，例如手机充电器、适配器、家电辅助电源以及工业控制电源等。AP1685MTR-G1采用固定频率工作模式，具备良好的负载调整率和线路调整率，能够在宽输入电压范围内稳定运行。该器件集成了多种保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）以及前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）技术，有效提升系统可靠性并减少外部元件数量。此外，AP1685MTR-G1支持软启动功能，可防止上电时产生过大的浪涌电流，从而保护功率开关管和其他关键元器件。芯片封装形式为SOT-23-6或类似的微型贴片封装，节省PCB空间，适合高密度电源设计。其内置高压启动电路，可在冷启动时直接从整流母线电压完成启动过程，无需额外的启动电阻网络，进一步简化了外围电路设计。总体而言，AP1685MTR-G1以其高集成度、高可靠性和成本效益，在消费类电子电源管理领域具有广泛应用前景。

参数

类型：PWM控制器
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　工作模式：电流模式控制
　　开关频率：典型值65kHz
　　供电电压范围：最大VCC=20V
　　启动电流：低至3.5μA
　　工作电流：约4.2mA
　　输出驱动能力：图腾柱输出，可驱动N沟道MOSFET
　　最大占空比：约80%
　　过压保护（OVP）：有，内部设定
　　过温保护（OTP）：自动恢复模式
　　封装形式：SOT-23-6 或 DFN类似封装
　　引脚数：6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　保护功能：过载保护（OLP）、前沿消隐（LEB）、软启动

特性

AP1685MTR-G1具备多项先进特性以确保高效稳定的电源转换性能。首先，其采用电流模式控制架构，能够提供快速的瞬态响应和优异的环路稳定性，并便于实现逐周期电流限制保护，提升了系统的动态性能与安全性。其次，芯片内置高压启动电路，可在上电时从高压总线直接获取能量为VCC电容充电，实现自主启动，显著降低了待机功耗并省去了传统启动电阻，提高了整体效率。第三，该器件支持软启动机制，在启动过程中逐步增加PWM占空比，避免输出电压过冲和变压器磁饱和问题，同时减小主开关MOSFET的应力。第四，AP1685MTR-G1集成了完善的多重保护功能，如过载保护通过检测反馈信号异常来触发打嗝模式（hiccup mode），有效限制输出功率并防止持续过热；过压保护则监控VCC电压，一旦超过阈值即切断输出，防止损坏后续电路。第五，芯片具有前沿消隐功能，可屏蔽MOSFET导通瞬间产生的电流尖峰干扰，避免误触发电流比较器，从而增强系统的抗噪声能力。第六，AP1685MTR-G1在轻载条件下自动进入跳频模式（Frequency Skipping Mode），降低开关频率以减少开关损耗，实现高效的轻载效率与低待机功耗，满足能源之星和CoC Tier 2等能效标准。最后，其小型化封装设计使得该芯片非常适合空间受限的应用场景，同时仍保持良好的散热性能和电气隔离性。
　　

应用

AP1685MTR-G1主要应用于各类小功率AC-DC开关电源系统中。典型用途包括手机、平板电脑及其他便携设备的充电器适配器，尤其适合5W至15W范围内的USB充电解决方案。此外，它也广泛用于家用电器中的辅助电源（Auxiliary Power Supply），如电视、空调、洗衣机等设备内部的待机电源模块，提供稳定的+5V或+3.3V直流电压。在工业控制领域，该芯片可用于PLC、传感器供电单元、继电器驱动电源等对可靠性和尺寸要求较高的场合。由于其具备高集成度和较少的外围元件需求，AP1685MTR-G1还适用于LED照明驱动电源，特别是非隔离型或低功率隔离型LED灯带、球泡灯等产品。在通信设备中，如路由器、IP摄像头等小型网络终端设备的外置电源适配器中也有广泛应用。得益于其良好的电磁兼容性（EMC）表现和稳定的控制特性，该芯片也能胜任对EMI敏感的医疗电子设备或测量仪器中的板载电源设计。总之，凡是需要将交流市电转换为稳定直流电压的小型化、低成本电源系统，AP1685MTR-G1都是一个极具竞争力的选择。
　　