CGA8P2C0G1H154J250KA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效开关和低导通损耗的场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,适合用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、逆变器和负载开关等。其设计注重提高效率并减少系统能耗。
型号:CGA8P2C0G1H154J250KA
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压(Vdss):60V
连续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):75nC
总功耗(Ptot):160W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低导通损耗,并提高整体效率。
2. 高速开关性能,可适应高频应用场景,有效减少开关损耗。
3. 出色的热稳定性,确保在高功率密度下长时间运行。
4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
5. 内置静电保护功能,提升使用中的可靠性。
6. 大电流承载能力,适用于工业级及高功率应用。
1. 电源管理模块中的 DC-DC 转换器
2. 电机驱动控制器
3. 开关模式电源 (SMPS)
4. 电动车辆中的逆变器
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 各种需要大电流处理的电路设计
7. 高效能源转换相关领域
CGA8P2C0G1H154J250KB, CGA8P2C0G1H154J250KC