时间：2025/5/23 6:46:57
阅读：1
JFMQL100T900 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他工业和消费类电子产品。
型号：JFMQL100T900
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：100A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率范围：高达5MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
JFMQL100T900 的主要特性包括：
1. 高效率：由于其低导通电阻和低开关损耗，能够显著提高系统的整体效率。
2. 快速开关能力：支持高达5MHz的开关频率，适合高频应用。
3. 热性能优越：采用大功率封装设计，具备良好的散热能力。
4. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，能够在恶劣环境下长期运行。
5. 小型化设计：与传统硅基MOSFET相比，体积更小，重量更轻，有助于节省空间。
JFMQL100T900 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能量转换。
2. DC-DC转换器：在电动汽车和可再生能源系统中发挥重要作用。
3. 电机驱动：提供高功率密度和快速响应能力。
4. 工业自动化设备：如伺服驱动器和变频器。
5. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器和无线充电器。
JFMQL120T900
JFMQL80T900
