CGA8M3C0G2E333J200KA 是一款高密度、高性能的存储类电子元器件,属于 NAND Flash 芯片系列。该芯片主要用于大容量数据存储需求的应用场景,具有读写速度快、可靠性高和低功耗等特点。其封装形式为 BGA(球栅阵列封装),能够满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
容量:8GB
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
工作温度范围:-40℃至+85℃
数据保存时间:>10年
擦写寿命:3000次
CGA8M3C0G2E333J200KA 具有以下显著特性:
1. 高速接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口协议,支持高达 400MT/s 的传输速率,显著提升数据读写效率。
2. 大容量存储:提供 8GB 的存储空间,适用于需要大容量存储的应用。
3. 可靠性设计:具备 ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据的完整性和可靠性。
4. 低功耗运行:优化的电路设计使其在待机和工作状态下均保持较低的功耗,延长设备续航时间。
5. 广泛的工作温度范围:能够在工业级温度范围内稳定运行,适应各种恶劣环境。
CGA8M3C0G2E333J200KA 主要应用于以下领域:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和数码相机等,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
2. 工业控制设备:如 PLC 和 HMI 设备,提供稳定可靠的数据存储解决方案。
3. 嵌入式系统:适用于各种嵌入式设备,如网络路由器、安防监控系统等。
4. 医疗设备:用于存储关键数据和程序代码,保障医疗设备的正常运行。
5. 汽车电子:在车载信息系统中作为数据存储介质,支持导航、娱乐等功能。
CGA8M3C0G2E333J200KB
CGA8M3C0G2E333J200KC
CGA8M3C0G2E333J200KD