IXTC110N25T 时间：2025/8/6 8:09:51 阅读：27

IXTC110N25T 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 专为高效率电源转换应用设计，适用于需要高电流和高电压处理能力的电路。IXTC110N25T 采用了先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于工业电源、直流电机控制、电源管理和电池充电系统等应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：110 A
　　最大漏-源电压 (VDS)：250 V
　　导通电阻 (RDS(on))：0.027 Ω（最大）
　　栅极电荷 (Qg)：170 nC（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　最大功耗 (Ptot)：300 W

特性

IXTC110N25T 具有多个显著的性能特点，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件支持高达 250V 的漏-源电压，适用于中高功率电源系统。此外，IXTC110N25T 采用 TO-247 封装，具备良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高开关速度，从而进一步提升系统效率。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力和抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。此外，IXTC110N25T 的设计确保了其在高温下的可靠性能，适合用于要求高稳定性和高可靠性的工业和汽车电子系统。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。

应用

IXTC110N25T 主要用于高功率电源系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电池充电器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路等。此外，该器件也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及电动汽车的充电管理系统。其高耐压和高电流能力使其在需要高效率和高可靠性的应用中表现出色。