CGA6M1C0G3A682J200AE 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它主要用于大容量数据存储应用,具备高速读写能力和较低的功耗特性。这款芯片广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域中的固态硬盘(SSD)、嵌入式系统及移动设备中。
该型号采用先进的工艺技术制造,支持多种接口协议以满足不同的应用场景需求,并提供可靠的数据保护机制。
容量:64Gb
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
封装形式:WSON
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
数据保存时间:>10年
擦写寿命:3000次
CGA6M1C0G3A682J200AE 具备以下主要特性:
1. 高密度存储能力,单芯片即可实现大容量存储,适合需要大量存储空间的应用场景。
2. 支持快速读写操作,具有低延迟和高吞吐量的表现,可显著提升系统的整体性能。
3. 内置错误校正码(ECC)功能,能够有效检测并修正数据传输过程中的错误,保证数据完整性。
4. 采用了省电设计,待机功耗极低,有助于延长电池驱动设备的续航时间。
5. 兼容主流的存储控制器,便于集成到各种硬件平台中。
这款存储芯片适用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD),作为核心存储介质为计算机和其他设备提供高速存取能力。
2. 嵌入式系统,例如工业控制装置、网络路由器和医疗设备等,用于存储操作系统、应用程序及用户数据。
3. 移动终端,包括智能手机、平板电脑和个人数字助理(PDA),用来存储媒体文件、软件以及个人资料。
4. 数字摄像机和数码相机,为拍摄的照片和视频提供可靠的存储解决方案。
5. 可穿戴设备,如智能手表和健身追踪器,用于存储健康监测数据和其他相关信息。
K9F1G08U0D, MT29F1G08AAC, W25Q64FV