CGA6J4NP02J103J125AA 是一款由知名半导体厂商生产的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号主要应用于功率转换、电机驱动以及负载开关等场景。其卓越的导通电阻和快速开关性能使其成为高效率电力电子设计的理想选择。
这款器件采用先进的制造工艺,具有较低的栅极电荷和输出电容,从而实现了更高的工作效率和更少的能耗。此外,其封装形式紧凑,非常适合空间受限的应用环境。
类型:MOSFET
导通电阻(Rds(on)):2.2 mΩ
漏源电压(Vds):30 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):118 A
功耗:70 W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:LFPAK88
CGA6J4NP02J103J125AA 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 先进的热管理设计,确保在高温环境下依然能够稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 封装紧凑,易于集成到小型化设计中。
这些特性使得 CGA6J4NP02J103J125AA 成为多种工业和消费类应用的理想选择。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电池保护和DC-DC转换。
5. LED驱动器和其他功率管理系统。
凭借其出色的性能表现,CGA6J4NP02J103J125AA 在需要高效功率处理的场景下表现出色。
CGA6J4NP02J103J125AB, CGA6J4NP02J103J125AC, IRF2807ZPBF