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IXFT74N20 发布时间 时间:2025/8/6 3:31:29 查看 阅读:12

IXFT74N20 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻、高效率和快速开关性能,适用于电源转换、电机控制、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备等场合。IXFT74N20 封装在 TO-247 三引脚封装中,便于散热和集成。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:200V
  最大漏极电流 Id:74A
  导通电阻 Rds(on):典型值 0.045Ω
  栅极电荷 Qg:典型值 175nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-247
  功耗 PD:300W

特性

IXFT74N20 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,使其在大功率应用中具有较低的导通损耗和较高的效率。
  该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,使得其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了系统整体效率。
  其高热稳定性和宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C)使其适用于严苛的工业环境和高温工作条件。
  此外,IXFT74N20 具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。
  TO-247 封装设计提供了良好的散热性能,便于安装在散热器上,确保长时间高负载运行时的稳定性。

应用

IXFT74N20 广泛应用于各类高功率电子系统中,如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、逆变器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、太阳能逆变器、工业自动化设备和电动车辆控制系统等。
  在电源管理系统中,该器件能够实现高效的能量转换,减少发热并提高系统稳定性。
  在电机控制和逆变器应用中,IXFT74N20 的快速开关特性和低导通损耗有助于提高系统响应速度和效率。
  此外,其高可靠性和耐压能力也使其适用于高要求的工业和车载应用环境。

替代型号

IRF740、IXFH74N20P、STP75N20、FDPF74N20、SiHF74N20

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IXFT74N20参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C74A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件