CGA6J2C0G1H223J125AA 是一款由东芝 (Toshiba) 公司生产的高性能 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 DPAK,具有良好的散热性能和电气稳定性。
这款 MOSFET 主要面向工业、消费电子以及汽车电子领域,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、LED 驱动器等场景。
型号:CGA6J2C0G1H223J125AA
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
工作电压 (Vds):30V
连续漏极电流 (Id):94A
栅极电荷 (Qg):38nC
导通电阻 (Rds(on)):1.5mΩ (最大值,在 Vgs=10V 时)
功耗:270W
封装:DPAK (TO-252)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
CGA6J2C0G1H223J125AA 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用。
3. 高额定电流,可满足大功率负载需求。
4. 符合 RoHS 标准,环保设计。
5. 提供优异的热性能和电气稳定性,适合长时间运行。
6. 紧凑型封装,节省 PCB 空间,同时具备出色的散热能力。
该器件通过优化设计,显著降低了开关损耗和传导损耗,非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
CGA6J2C0G1H223J125AA 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统,如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
5. LED 驱动器和照明控制系统。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 成为了许多高性能应用的理想选择。
CGA6J2C0G1H223J125AB, CGA6J2C0G1H223J125AC