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CGA6J2C0G1H223J125AA 发布时间 时间:2025/6/25 20:27:07 查看 阅读:16

CGA6J2C0G1H223J125AA 是一款由东芝 (Toshiba) 公司生产的高性能 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 DPAK,具有良好的散热性能和电气稳定性。
  这款 MOSFET 主要面向工业、消费电子以及汽车电子领域,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、LED 驱动器等场景。

参数

型号:CGA6J2C0G1H223J125AA
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  工作电压 (Vds):30V
  连续漏极电流 (Id):94A
  栅极电荷 (Qg):38nC
  导通电阻 (Rds(on)):1.5mΩ (最大值,在 Vgs=10V 时)
  功耗:270W
  封装:DPAK (TO-252)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CGA6J2C0G1H223J125AA 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 高额定电流,可满足大功率负载需求。
  4. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  5. 提供优异的热性能和电气稳定性,适合长时间运行。
  6. 紧凑型封装,节省 PCB 空间,同时具备出色的散热能力。
  该器件通过优化设计,显著降低了开关损耗和传导损耗,非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

应用

CGA6J2C0G1H223J125AA 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统,如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
  5. LED 驱动器和照明控制系统。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
  由于其出色的电气性能和可靠性,这款 MOSFET 成为了许多高性能应用的理想选择。

替代型号

CGA6J2C0G1H223J125AB, CGA6J2C0G1H223J125AC

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CGA6J2C0G1H223J125AA参数

  • 现有数量75现货
  • 价格1 : ¥6.12000剪切带(CT)2,000 : ¥1.92706卷带(TR)
  • 系列CGA
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-