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CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 发布时间 时间:2025/6/14 15:20:28 查看 阅读:4

CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度等特性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计旨在满足现代电力电子应用对高效能和高可靠性的需求。通过优化的结构设计和材料选择,CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 在降低功耗的同时,还具有出色的热性能和抗电磁干扰能力。

参数

型号:CGA5L3C0G2E822JT0Y0N
  类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:40A
  导通电阻:22mΩ
  栅极电荷:75nC
  最大工作温度:175°C
  封装形式:TO-247

特性

CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(22mΩ),可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频应用,适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 高额定电压(650V)和大电流承载能力(40A),确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 优异的热性能,能够在高功率应用场景中保持较低的工作温度。
  5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于全球市场。

应用

CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 电脑电源适配器
   - 工业电源
  2. DC-DC 转换器:
   - 电动汽车充电设备
   - 通信基站电源
  3. 电机驱动:
   - 家用电器中的电机控制
   - 工业自动化设备中的伺服驱动
  4. 太阳能逆变器:
   - 光伏发电系统中的功率转换模块
  5. 照明系统:
   - LED 驱动电路中的功率开关元件
  该芯片凭借其高性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。

替代型号

CGA5L3C0G2E822JT0Y0Q
  CGA5L3C0G2E822JT0Y0P
  IRF840
  FQP50N06L

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