CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度等特性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计旨在满足现代电力电子应用对高效能和高可靠性的需求。通过优化的结构设计和材料选择,CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 在降低功耗的同时,还具有出色的热性能和抗电磁干扰能力。
型号:CGA5L3C0G2E822JT0Y0N
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:650V
额定电流:40A
导通电阻:22mΩ
栅极电荷:75nC
最大工作温度:175°C
封装形式:TO-247
CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(22mΩ),可有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 高额定电压(650V)和大电流承载能力(40A),确保在高压环境下的稳定运行。
4. 优异的热性能,能够在高功率应用场景中保持较低的工作温度。
5. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于全球市场。
CGA5L3C0G2E822JT0Y0N 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- 电脑电源适配器
- 工业电源
2. DC-DC 转换器:
- 电动汽车充电设备
- 通信基站电源
3. 电机驱动:
- 家用电器中的电机控制
- 工业自动化设备中的伺服驱动
4. 太阳能逆变器:
- 光伏发电系统中的功率转换模块
5. 照明系统:
- LED 驱动电路中的功率开关元件
该芯片凭借其高性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。
CGA5L3C0G2E822JT0Y0Q
CGA5L3C0G2E822JT0Y0P
IRF840
FQP50N06L