类型：NPN双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压(Vceo)：50V
　　发射极-基极电压(Veb)：5V
　　集电极电流(Ic)：100mA
　　集电极功耗(Pc)：200mW
　　直流增益(hFE)：340 ~ 800（典型值）
　　过渡频率(ft)：200MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　通道数：2
　　每通道最大电流：100mA
　　最大结温(Tj)：150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

RB731XNTR采用先进的平面外延工艺制造，确保了高度一致的晶体管匹配性和稳定的电气特性。其内部集成的两个NPN晶体管具有高度对称的参数，适用于差分放大器、推挽输出级以及需要良好匹配特性的模拟电路设计。每个晶体管的最大集电极电流可达100mA，足以驱动多数中小功率负载，如LED指示灯、继电器线圈或数字逻辑门电路。该器件的直流电流增益（hFE）范围宽泛，典型值在340至800之间，保证了即使在小信号输入条件下也能实现高效的电流放大功能。
　　该器件的高频响应能力出色，过渡频率ft达到200MHz，使其不仅适用于直流和低频开关应用，还能胜任中高频信号处理任务，例如射频前端的小信号放大或振荡电路中的有源元件。由于其快速的开关速度，RB731XNTR可用于高速数字系统中的电平转换、脉冲整形和缓冲器构建。此外，SOT-23封装提供了优良的散热性能与机械强度，在回流焊过程中表现出良好的耐热性，适应现代无铅焊接工艺要求。
　　RB731XNTR的工作温度范围为-55°C至+150°C，展现出卓越的环境适应能力，可在极端温度条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化等严苛应用场景。器件本身通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高（需查证具体批次），增强了其在车载系统中的适用性。同时，该产品符合欧盟RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保设计理念。其低饱和压降（Vce(sat)）特性进一步降低了导通状态下的功耗，提高了整体能效表现，特别适合电池供电设备以延长续航时间。

RB731XNTR因其双NPN结构和高性能参数，被广泛应用于各类电子系统中。常见用途包括音频信号前置放大器、传感器信号调理电路、微控制器输出驱动级、DC-DC转换器中的开关控制节点以及数字逻辑接口电平转换。在通信设备中，它可作为小信号放大单元或射频开关使用；在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于LED背光驱动或按键扫描矩阵的驱动电路。
　　在工业控制系统中，RB731XNTR可用于PLC模块的I/O扩展电路，实现对外部执行机构的安全隔离与驱动。其高增益特性使其非常适合光电耦合器的接收端驱动，提升信号传输效率。此外，该器件也常用于构建达林顿对、多级放大器或恒流源电路，满足复杂模拟电路设计需求。在汽车电子领域，可用于车身控制模块中的灯光控制、风扇电机驱动或传感器信号预处理单元。
　　由于其封装小巧且易于自动化装配，RB731XNTR在大规模生产环境中具有成本优势。无论是用于信号切换、电平移位还是简单的开关控制，该器件都能提供可靠而高效的解决方案。对于需要双通道独立晶体管的应用场景，RB731XNTR相比分立式单个晶体管更具布板优势，减少元件数量并提高系统集成度。

MMBT3904DW1T1G
　　FMMT218
　　BC846BDW1T1G
　　KSC1845DWT1