CGA4J3X7S1A106M125AE 是一款由三星(Samsung)生产的高性能 DDR4 ECC 内存模组芯片。该芯片专为服务器、工作站和高可靠性计算应用设计,具备出色的稳定性和数据完整性。通过使用纠错码(ECC)技术,能够检测并纠正单比特错误,从而显著提高系统的可靠性和性能。
这款芯片采用先进的制程工艺制造,支持较高的数据传输速率,并且功耗较低,非常适合对性能和稳定性要求极高的场景。
类型:DDR4 ECC
容量:8GB
位宽:x72
速度:2666 MT/s
工作电压:1.2V
封装形式:BGA
引脚数:288
温度范围:0°C 至 85°C
制程工艺:10nm 级
CGA4J3X7S1A106M125AE 的主要特性包括:
1. 支持 ECC 技术,可有效检测和纠正数据错误,确保数据的完整性和系统稳定性。
2. 高速运行能力,数据传输速率高达 2666 MT/s,满足现代计算环境的需求。
3. 超低功耗设计,采用 1.2V 工作电压,显著降低能源消耗。
4. 采用 x72 数据总线宽度,提供更宽的数据通道,增强数据吞吐能力。
5. 先进的 10nm 级制程工艺,提升性能的同时减小芯片尺寸。
6. 广泛的工作温度范围(0°C 至 85°C),适应多种环境条件下的应用需求。
这些特性使 CGA4J3X7S1A106M125AE 成为高端服务器和工作站的理想选择。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 企业级服务器:为数据中心提供高效、可靠的内存解决方案。
2. 工作站:支持复杂的图形处理、科学计算和其他高性能计算任务。
3. 高性能计算(HPC):在需要大量数据处理和分析的应用中发挥关键作用。
4. 数据存储设备:用于 RAID 控制器和其他关键数据存储系统,保障数据安全。
5. 医疗和工业设备:在对稳定性和数据完整性要求较高的环境中提供支持。
其广泛的适用性使其成为许多高性能应用的核心组件。
K4A8G165WB-BCPB, H9HCNNN8BITR_KEM