CGA4C4NP02W221J060AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式紧凑,适合对空间要求较高的应用场合。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,支持高频开关操作,能够有效降低系统的能量损耗,同时提升整体效率。
型号:CGA4C4NP02W221J060AA
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):38nC
输入电容(Ciss):2950pF
输出电容(Coss):75pF
反向传输电容(Crss):10pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
CGA4C4NP02W221J060AA 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著减少导通状态下的功耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力使得该器件非常适合高频应用,如 DC-DC 转换器和 PFC 电路。
3. 出色的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。
4. 紧凑的封装设计有助于节省 PCB 空间,同时提供优秀的散热性能。
5. 强大的电流承载能力使其适用于大功率应用场景,例如工业电机驱动和电动汽车系统。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
CGA4C4NP02W221J060AA 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路,用于工业自动化设备及家用电器。
3. 电池管理系统 (BMS),特别是电动汽车和储能系统中的充放电控制。
4. 高效功率因数校正 (PFC) 电路。
5. 大功率负载切换和保护电路。
6. 可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能发电设备中的功率转换模块。
CGA4C4NP02W221J060AB, CGA4C4NP02W221J060AC