型号：CGA3EANP02A152J080AC
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
　　最大漏源电压 (Vds)：600V
　　最大栅源电压 (Vgs)：+6V/-4V
　　导通电阻 (Rds(on))：150mΩ
　　连续漏极电流 (Id)：2A
　　栅极电荷 (Qg)：35nC
　　总电容 (Ciss)：1250pF
　　输入电容 (Ciss)：1050pF
　　输出电容 (Coss)：380pF
　　反向传输电容 (Crss)：75pF
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：LFPAK88

CGA3EANP02A152J080AC 的主要特性包括：
　　1. 低导通电阻 (Rds(on))，仅为 150mΩ，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关性能，能够支持高达 MHz 级别的开关频率，从而减小磁性元件体积，进一步提升功率密度。
　　3. 高击穿电压 (600V)，确保在高压环境下稳定运行。
　　4. 先进的 GaN 材料技术，提供更高的电子迁移率和更低的热阻，增强了整体性能。
　　5. 优异的热稳定性，在高温条件下依然能保持出色的性能表现。
　　6. 小型化封装设计，简化 PCB 布局并降低寄生效应的影响。
　　7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。

该元器件广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器，用于提高效率和缩小尺寸。
　　2. DC-DC 转换器，特别是在需要高频工作的场景中。
　　3. 电动工具及电机驱动控制器，提供高效且紧凑的设计方案。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统，满足高效率和高可靠性要求。
　　5. 数据中心服务器电源和通信设备电源，优化能耗表现。
　　6. 汽车电子应用，例如车载充电器和 DC-DC 转换器模块。
　　7. 工业自动化设备中的功率转换部分，确保长期稳定运行。

CGA3EANP02A120J060AC, CGA3EANP02A180J100AC