时间：2025/6/21 7:23:16
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CGA3EAC0G2A682JT000E是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺和封装技术。它主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，适合对效率和可靠性要求较高的应用环境。
这款MOSFET属于N沟道增强型，支持高侧和低侧驱动，广泛适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品领域。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压Vds：650 V
最大栅源电压Vgs：±20 V
连续漏极电流Id：16 A
导通电阻Rds(on)：450 mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Pd：175 W
工作温度范围Tj：-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻，在额定条件下提供高效的电力传输能力。
2. 高速开关特性，降低开关损耗，提高系统效率。
3. 具备优异的雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下可靠运行。
4. 封装形式紧凑，有利于节省PCB空间，并且提供良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种恶劣环境下的使用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 工业电机驱动和伺服控制器中的功率级元件。
4. 太阳能逆变器及UPS系统的功率输出模块。
5. 汽车电子设备中的负载切换与保护电路。
6. 各种需要高效电力转换的应用场景。
CGA3EAC0G2A682JT100E
IRF840
FQP17N65
STW83N65
