时间：2025/6/5 23:51:41
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CGA3EAC0G2A222J080AC 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
该芯片属于沟槽型 MOSFET 系列，具备优异的热性能和抗浪涌能力，可满足高功率密度设计需求。
型号：CGA3EAC0G2A222J080AC
类型：N 沟道 MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压（Vds）：1200 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大漏极电流（Id）：36 A
导通电阻（Rds(on)）：220 mΩ
功耗：250 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CGA3EAC0G2A222J080AC 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并优化高频应用性能。
3. 高击穿电压（Vds）确保其在高压环境下的可靠运行。
4. 优异的热稳定性和低结温升特性，支持更高的功率密度设计。
5. 强大的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力，适合恶劣的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 工业电机驱动器中的功率级控制。
3. 电动汽车和混合动力汽车的逆变器模块。
4. 高压 DC-DC 转换器的核心元件。
5. 太阳能逆变器中的功率转换电路。
6. 各种需要高效率和高可靠性功率管理的工业设备。
CGA3EAC0G2A222J080AB, CGA3EAC0G2A222J080AD
