时间：2025/5/29 23:31:48
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GA1206A821KXABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够有效提升散热能力，适用于大功率应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：55nC
反向恢复时间：85ns
to 175℃
GA1206A821KXABR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣条件下长时间运行。
4. 封装设计优化了电气性能和散热表现。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
该器件适用于多种工业和消费类电子产品中，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器和降压电路中的同步整流管。
3. 电动工具、家用电器等设备中的电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFZ44N
FDP15U20AE
AON6710
