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GA1206A821KXABR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:31:48 查看 阅读:6

GA1206A821KXABR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提升散热能力,适用于大功率应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:55nC
  反向恢复时间:85ns
   to 175℃

特性

GA1206A821KXABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣条件下长时间运行。
  4. 封装设计优化了电气性能和散热表现。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

该器件适用于多种工业和消费类电子产品中,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器和降压电路中的同步整流管。
  3. 电动工具、家用电器等设备中的电机控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP15U20AE
  AON6710

GA1206A821KXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-