时间：2025/7/12 10:49:20
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CGA3E2X8R1H333K080AD 是一种多层陶瓷电容器 (MLCC)，属于 X7R 温度特性的高容值电容器。该型号由知名制造商生产，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。这种电容器采用先进的陶瓷材料技术制造，具有出色的电气性能和稳定性，适合在高频和高密度电路中使用。
容量：3.3nF
额定电压：50V
公差：±10%
温度特性：X7R (-55°C 至 +125°C)
封装：0402 英寸
直流偏压特性：低
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
ESL：≤1nH
ESR：≤10mΩ
CGA3E2X8R1H333K080AD 具有以下主要特性：
1. 采用 X7R 温度特性材料，能够在宽温范围内保持稳定的电容值。
2. 高品质的多层陶瓷结构设计，使其具备低等效串联电感 (ESL) 和低等效串联电阻 (ESR)，非常适合高频应用。
3. 小型化封装（0402），便于在高密度电路板上进行贴装。
4. 良好的直流偏置特性，确保在不同电压条件下仍能提供稳定的电容值。
5. 高可靠性，能够承受严苛的工作环境，并符合多种国际标准的要求。
CGA3E2X8R1H333K080AD 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源滤波和去耦电路。
2. 高速信号传输系统中的旁路电容。
3. 工业控制设备中的振荡电路和耦合电路。
4. 通信设备中的射频前端匹配网络。
5. 医疗电子和汽车电子中的关键信号处理电路。
6. 数据存储设备中的噪声抑制和电源稳定电路。
C0402X7R1C333K120AC
CAP-X7R-3N3-50V-0402
EE12X7R1H333K080AT
