时间：2025/6/10 13:23:19
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CGA3E2NP02A391J080AA 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 功率晶体管，采用先进的 GaN 技术制造。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率等特点，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和无线充电等领域。
由于其优异的性能，这款功率晶体管能够显著提高系统效率并减小整体设计尺寸，非常适合高频和高功率密度的应用场景。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN)
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：25A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：60nC
开关频率：超过 5MHz
封装形式：TO-247-4L
CGA3E2NP02A391J080AA 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，提供卓越的开关性能和低损耗。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
3. 快速的开关速度和较小的栅极电荷，使高频操作更加高效。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于各种工业应用环境。
6. 可靠性经过严格测试，适合在恶劣环境下工作。
该型号的氮化镓功率晶体管适用于多种高性能应用场景，例如：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 电动车辆 (EV) 充电器和车载电源模块。
4. 工业电机驱动和机器人控制。
5. 高频谐振电路和无线电力传输设备。
6. 数据中心电源和其他需要高效率和高功率密度的设计。
CGA3E2NP02A391J080BA
